如何检测IGBT好坏简便方法介绍
IGBT的测量方法
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;
然后用指针万用表的两只表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻,对于正常的IGBT管(正常G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时,e、C极间均有4kΩ正向电阻),上述所测值均为无穷大;
最后用指针万用表的红笔接c极,黑笔接e极,若所测值在3.5kΩ左右,则所测管为含阻尼二极管的IGBT管,若所测值在50kΩ左右,则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下,IGBT管的e、C极问正向压降约为0.5V。
测得IGBT管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;
若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。维修中IGBT管多为击穿损坏。
判断晶闸管极性及好坏的方法选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量晶闸管的任两个极之间的正反向电阻,其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大,则判定该极为阳极(A)。
然后选择指针万用表的R×1Ω档。黑表笔接晶闸管的阳极(A),红表笔接晶闸管的其中一极假设为阴极(K),另一极为控制极(G)。
黑表笔不要离开阳极(A)同时触击控制极(G),若万用表指针偏转并站住,则判定晶闸管的假设极性阴极(K)和控制极(G)是正确的,且该晶闸管元件为好的晶闸管。若万用表指针不偏转,颠倒晶闸管的假设极性再测量。若万用表指针偏转并站住,则晶闸管的第二次假设极性为正确的,该晶闸管为好的晶闸管。否则为坏的晶闸管。
判断IGBT极性及好坏的方法判断IGBT极性:选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量IGBT的任两个极之间的正反向电阻,其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大,则判定该极为IGBT的栅极(G)。
测量另外两极的正反向电阻,在正向电阻时,红表笔接的为IGBT的集电极(C),黑表笔接的为IGBT的发射极(E)。
判断IGBT好坏:选择指针万用表的R×10KΩ档。黑表笔接集电极(C),红表笔接发射极(E),用手同时触击一下集电极(C)和控制极(G)。
若万用表指针偏转并站住,再用手同时触击一下发射极(E)和控制极(G),万用表指针回零,则该IGBT为好的,否则为坏的IGBT。
如何检测IGBT好坏简便方法介绍
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
逆变器IGBT模块检测:
将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档,红表笔接P(集电极c1),黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大;将表笔反过来,黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极e2),黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右;黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同,若出现差别说明IGBT模块性能变差,应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大,这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差,此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。
很多同行对IGBT的测量和判断仅局限于彻底击穿,而对一些软击穿和性能下降的IGBT却不知如何判断,现就把本人多年来判断IGBT的小经验给大家说说,高手可以飘过:
首先把指针万用表调到R×10K档,检测过程可分4步进行:
1:黑表笔接G极;红表笔接E极,此时的阻值应为无穷大。
2:黑表笔接C极;红表笔接E极,此时的阻值应为 0Ω 。
3:保持第二步不动,用镊子等金属物短接G极和E极引脚,阻值应该由 0Ω 跳变为无穷大。
4:在第三步的基础上,移走镊子,阻值应保持无穷大不变。
以上测量方法同时适用于普通N沟道型场效应管的判断,P沟道的只需对调表笔即可,经验由本人原创!
IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;
然后用指针万用表的两只表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻,对于正常的IGBT管(正常G、e两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的IGBT管正常时,e、C极间均有4kΩ正向电阻),上述所测值均为无穷大;
最后用指针万用表的红笔接c极,黑笔接e极,若所测值在3.5kΩ左右,则所测管为含阻尼二极管的IGBT管,若所测值在50kΩ左右,则所测IGBT管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下,IGBT管的e、C极问正向压降约为0.5V。
测得IGBT管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;
若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。维修中IGBT管多为击穿损坏。
判断晶闸管极性及好坏的方法选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量晶闸管的任两个极之间的正反向电阻,其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大,则判定该极为阳极(A)。
然后选择指针万用表的R×1Ω档。黑表笔接晶闸管的阳极(A),红表笔接晶闸管的其中一极假设为阴极(K),另一极为控制极(G)。
黑表笔不要离开阳极(A)同时触击控制极(G),若万用表指针偏转并站住,则判定晶闸管的假设极性阴极(K)和控制极(G)是正确的,且该晶闸管元件为好的晶闸管。若万用表指针不偏转,颠倒晶闸管的假设极性再测量。若万用表指针偏转并站住,则晶闸管的第二次假设极性为正确的,该晶闸管为好的晶闸管。否则为坏的晶闸管。
判断IGBT极性及好坏的方法判断IGBT极性:选择指针万用表R×100Ω或R×1KΩ档分别测量IGBT的任两个极之间的正反向电阻,其中一极与其他两极之间的正反向电阻均为无穷大,则判定该极为IGBT的栅极(G)。
测量另外两极的正反向电阻,在正向电阻时,红表笔接的为IGBT的集电极(C),黑表笔接的为IGBT的发射极(E)。
判断IGBT好坏:选择指针万用表的R×10KΩ档。黑表笔接集电极(C),红表笔接发射极(E),用手同时触击一下集电极(C)和控制极(G)。
若万用表指针偏转并站住,再用手同时触击一下发射极(E)和控制极(G),万用表指针回零,则该IGBT为好的,否则为坏的IGBT。
如何检测IGBT好坏简便方法介绍
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT
注意判断IGBT好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT导通,而无法判断IGBT的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
逆变器IGBT模块检测:
将数字万用表拨到二极管测试档,测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性,来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档,红表笔接P(集电极c1),黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大;将表笔反过来,黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N(发射极e2),黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右;黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同,若出现差别说明IGBT模块性能变差,应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大,这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差,此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。
很多同行对IGBT的测量和判断仅局限于彻底击穿,而对一些软击穿和性能下降的IGBT却不知如何判断,现就把本人多年来判断IGBT的小经验给大家说说,高手可以飘过:
首先把指针万用表调到R×10K档,检测过程可分4步进行:
1:黑表笔接G极;红表笔接E极,此时的阻值应为无穷大。
2:黑表笔接C极;红表笔接E极,此时的阻值应为 0Ω 。
3:保持第二步不动,用镊子等金属物短接G极和E极引脚,阻值应该由 0Ω 跳变为无穷大。
4:在第三步的基础上,移走镊子,阻值应保持无穷大不变。
以上测量方法同时适用于普通N沟道型场效应管的判断,P沟道的只需对调表笔即可,经验由本人原创!
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